2025年9月12日，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM4的開發(fā)，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系。

SK海力士表示：“公司成功開發(fā)將引領(lǐng)人工智能新時(shí)代的HBM4，并基于此技術(shù)成果，在全球首次構(gòu)建了HBM4的量產(chǎn)體系。此舉再次向全球市場(chǎng)彰顯了公司在面向AI的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

SK海力士HBM開發(fā)擔(dān)當(dāng)趙珠煥副社長(zhǎng)表示：“HBM4的開發(fā)完成將成為業(yè)界新的里程碑。公司將及時(shí)為客戶提供在性能、能效和可靠性方面都滿足需求的產(chǎn)品，以此鞏固在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間（Time to Market）。”

隨著AI需求和數(shù)據(jù)處理量劇增，為實(shí)現(xiàn)更快的系統(tǒng)速度，對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器的需求也在激增。此外，數(shù)據(jù)中心巨大的耗電使得其運(yùn)營(yíng)負(fù)擔(dān)日益加重，存儲(chǔ)器的能效已成為客戶所要求的關(guān)鍵因素。借此，SK海力士有望提升帶寬和能效的HBM4將成為滿足要求的最佳解決方案。

這次全新構(gòu)建量產(chǎn)體系的HBM4采用了較前一代產(chǎn)品翻倍的2048條數(shù)據(jù)傳輸通道（I/O），將帶寬擴(kuò)大一倍，同時(shí)能效也提升40%以上。憑借這一突破，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了全球最高水平的數(shù)據(jù)處理速度和能效。公司預(yù)測(cè)，將該產(chǎn)品引入客戶系統(tǒng)后，AI服務(wù)性能最高可提升69%，這一創(chuàng)新不僅能從根本上解決數(shù)據(jù)瓶頸問題，還可顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本。

與此同時(shí)，此次HBM4實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10Gbps（每秒10千兆比特）以上的運(yùn)行速度，這大幅超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8Gbps（每秒8千兆比特）。

公司在HBM4的開發(fā)過程中采用了產(chǎn)品穩(wěn)定性方面獲得市場(chǎng)認(rèn)可的自主先進(jìn)批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）技術(shù)和第五代10納米級(jí)（1b）DRAM工藝，最大程度地降低其量產(chǎn)過程中的風(fēng)險(xiǎn)。

MR-MUF 是指在堆疊半導(dǎo)體芯片后，為了保護(hù)芯片間的電路，在其中填充液體保護(hù)材料，使其固化。有評(píng)價(jià)稱，與每堆一個(gè)芯片就鋪設(shè)薄膜型材料的方式相比，該技術(shù)提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進(jìn)MR-MUF技術(shù)，較現(xiàn)有技術(shù)減少了芯片堆疊時(shí)所施加的壓力，提高了芯片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩(wěn)定量產(chǎn)的關(guān)鍵。

SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)金柱善社長(zhǎng)（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次正式宣布全球率先構(gòu)建量產(chǎn)體系的HBM4，不僅是突破AI基礎(chǔ)設(shè)施極限的一個(gè)標(biāo)志性轉(zhuǎn)折點(diǎn)，更是可解決AI時(shí)代技術(shù)難題的核心產(chǎn)品。”又表示：“公司將及時(shí)供應(yīng)AI時(shí)代所需的最高品質(zhì)和多樣化性能的存儲(chǔ)器，致力成為‘全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）’。”